GaN基SBD功率器件研究进展

• 作者: 何志 李迪 杨富华 樊中朝 王晓东 贾利芳
• 来源期刊: 微纳电子技术
• 学科: 工学
• 关键词: 氮化镓 肖特基势垒二极管(SBD) 功率器件 肖特基金属 漏电流 等离子体处理
• 年，卷（期）: 2014,（5）
• 所属期刊栏目: 器件与技术
• 页码范围: 277-285,296
• 分类号: TN311.7|TN313.4|TN304.2
• 语种: 中文
• DOI: 10.13250/j.cnki.wndz.2014.05.001

摘要

作为第三代宽禁带半导体器件,GaN基肖特基势垒二极管(SBD)功率器件具有耐高温、耐高压和导通电阻小等优良特性,在功率器件方面具有显著的优势.概述了基于功率应用的GaN SBD功率器件的研究进展.根据器件结构,介绍了基于材料特性的GaN SBD和基于AlGaN/GaN异质结界面特性的GaN异质结SBD.根据器件结构对开启电压的影响,对不同阳极结构器件进行了详细的介绍.阐述了不同的肖特基金属的电学特性和热稳定性.分析了表面处理,包括表面清洗、表面等离子体处理和表面钝化对器件漏电流的影响.介绍了终端保护技术,尤其是场板技术对击穿电压的影响.最后探讨了GaN基SBD功率器件未来的发展趋势.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王晓东	中国科学院半导体研究所半导体集成技术工程研究中心	198	1467	19.0	28.0
2	樊中朝	中国科学院半导体研究所半导体集成技术工程研究中心	13	220	8.0	13.0
3	杨富华	中国科学院半导体研究所半导体集成技术工程研究中心	49	227	9.0	14.0
4	李迪	中国科学院半导体研究所半导体集成技术工程研究中心	15	125	5.0	11.0
5	贾利芳	中国科学院半导体研究所半导体集成技术工程研究中心	2	21	2.0	2.0
6	何志	中国科学院半导体研究所半导体集成技术工程研究中心	7	153	6.0	7.0