一种新型低温漂带隙基准源的分析与设计

• 作者: 林安 池上升 胡炜
• 来源期刊: 中国集成电路
• 关键词: 低压带隙基准电压源 T型结构 CMOS 数学建模
• 年，卷（期）: 2014,（5）
• 所属期刊栏目: 设计
• 页码范围: 53-57
• 页数: 5页
• 字数: 1944字
• 语种: 中文

摘要

本文提出一种高电源抑制比、低温漂和版图面积较小的CMOS带隙基准电压源.该基准采用T型结构的核心电路来减小电路中用来产生负温度系数电流的电阻,进而减小电路的版图面积.电路采用SMIC 0.18 μm CMOS工艺进行设计,设计的电路只采用一阶温度补偿,在Cadence Spectre环境下仿真结果表明在0-100℃的范围内温漂系数为1.4ppm/℃.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	池上升	福州大学物理与信息工程学院	6	19	3.0	4.0
2	胡炜	福州大学物理与信息工程学院	8	26	3.0	4.0
3	林安	福州大学物理与信息工程学院	1	0	0.0	0.0