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摘要:
采用射频/直流磁控共溅射法制备不同Cu掺杂量的氧化钛薄膜,研究了Cu掺杂对TiO2膜吸收边红移的影响,并探索其机理.发现当TiO2溅射功率为160 W,Cu溅射功率为30W时,TiO2薄膜的吸收边红移最为明显,至420 nm左右.X射线衍射(XRD)结果表明:500℃下退火处理得到的薄膜主要为锐钛矿相,但随着Cu掺量的提高,薄膜XRD衍射峰明显宽化,结晶性变差,将会在TiO2薄膜晶体中引入缺陷.X射线光电子谱结果表明:Cu以2+价存在,并掺杂进入TiO2晶格,引入受主杂质能级.结论认为Cu掺杂形成的缺陷能级和杂质能级是导致TiO2薄膜光吸收边拓展至可见光区域的原因.
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关键词云
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文献信息
篇名 磁控溅射掺铜TiO2薄膜光学特性的分析
来源期刊 真空科学与技术学报 学科 工学
关键词 磁控溅射 Cu掺杂 TiO2薄膜 吸收限红移
年,卷(期) 2014,(1) 所属期刊栏目 功能薄膜
研究方向 页码范围 74-78
页数 分类号 TQ134.1
字数 语种 中文
DOI 10.3969/j.issn.1672-7126.2014.01.15
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 林钰 河南教育学院化学系 34 267 9.0 15.0
2 辛荣生 郑州大学材料科学与工程学院 27 246 9.0 14.0
3 胡斌 郑州大学材料科学与工程学院 19 55 4.0 7.0
4 姚志强 郑州大学材料科学与工程学院 3 10 2.0 3.0
5 田莉 郑州大学材料科学与工程学院 6 24 3.0 4.0
6 董林 郑州大学材料科学与工程学院 14 40 4.0 6.0
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研究主题发展历程
节点文献
磁控溅射
Cu掺杂
TiO2薄膜
吸收限红移
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研究来源
研究分支
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真空科学与技术学报
月刊
1672-7126
11-5177/TB
大16开
北京市朝阳区建国路93号万达广场9号楼614室
1981
chi
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