基于PFM控制Boost型DC-DC变换器的带隙基准源

• 作者: 朱波 王宇星
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: CMOS带隙基准源 BCD工艺 温度系数(TC) 升压型DC-DC转换器 电源抑制比(PSRR)
• 年，卷（期）: 2014,（10）
• 所属期刊栏目: 半导体集成电路
• 页码范围: 737-742
• 分类号: TN43
• 语种: 中文
• DOI: 10.13290/j.cnki.bdtjs.2014.10.004

摘要

基于带隙基准源的基本原理,设计一种应用于PFM控制升压型DC-DC转换芯片的高精度、低功耗、低电压带隙基准电压源,包含带隙基准主电路和输出偏置电压电路.采用韩国Dongbu 0.35 μm BCD工艺进行仿真分析并且流片成功.经过理论分析和仿真模拟,结果表明在-50～125℃条件下,当Vin=3.65 V,温度系数为33×10-/℃,低频环路增益为30 dB,增益带宽(GBW)为20 kHz,相位裕度为88°,低频下电源抑制比(PSRR)为-90 dB,电源电压在3～5V变化时,基准输出变化了0.37 mV/V.带隙基准电压源结构简单、电压稳定性好,实测数据符合芯片系统要求,并已用于实际产品的批量生产.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王宇星		14	20	2.0	4.0
2	朱波		1	0	0.0	0.0