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摘要:
TiO2是作为一种宽禁带半导体材料可作为紫外器件,但因其间接带隙结构、禁带宽度仅为3.0eV等特点,严重影响其应用范围。本文利用共溅射技术,通过Zn掺杂,在K9玻璃基底上制备了Ti-Zn-O复合薄膜,并研究了Zn溅射功率对其结构及光学性质的影响。结果显示:所制备的薄膜为ZnTiO3和不饱和TiO2的复合结构,随着Zn粒子的溅射能量增加,晶粒尺寸和表面粗糙度增加,并可将薄膜本征吸收边蓝移至3.61eV。
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文献信息
篇名 磁控溅射制备Ti-Zn-O复合薄膜及其光学性质研究
来源期刊 长春理工大学学报(自然科学版) 学科 物理学
关键词 磁控溅射 掺杂 复合薄膜 禁带宽度
年,卷(期) 2014,(1) 所属期刊栏目
研究方向 页码范围 48-51
页数 4页 分类号 O484.1
字数 2624字 语种 中文
DOI
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 汪剑波 长春理工大学理学院 24 81 6.0 8.0
2 龚楠 长春理工大学理学院 2 4 1.0 2.0
3 冯禹 长春理工大学理学院 2 4 1.0 2.0
4 朱明海 长春理工大学理学院 1 3 1.0 1.0
5 陈广彬 长春理工大学理学院 1 3 1.0 1.0
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磁控溅射
掺杂
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禁带宽度
研究起点
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期刊影响力
长春理工大学学报(自然科学版)
双月刊
1672-9870
22-1364/TH
16开
长春市卫星路7089号
1978
chi
出版文献量(篇)
3546
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14
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15546
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