Au/Sn共晶键合技术在MEMS封装中的应用

• 作者: 徐永青 杨志 杨拥军 胥超
• 来源期刊: 微纳电子技术
• 学科: 工学
• 关键词: 圆片级键合 键合温度 前处理 应力 剪切强度 漏率
• 年，卷（期）: 2014,（2）
• 所属期刊栏目: 加工、测量与设备
• 页码范围: 131-135
• 分类号: TH703|TN305.94
• 语种: 中文
• DOI: 10.13250/j.cnki.wndz.2014.02.012

摘要

研究了Au/Sn共晶圆片键合技术在MEMS气密性封装中的应用.设计了共晶键合多层材料的结构和密封环图形,盖帽层采用Ti/Ni/Au/Sn/Au结构,器件层采用Ti/Ni/Au结构,盖帽层腔体尺寸为4.5mm×4.5 mm×20 μm,Au/Sn环的宽度为700 μm,优化了键合工艺,对影响气密性的因素(如组分配比、键合前处理和键合温度等)进行了分析.两层硅片在氮气气氛中靠静态的压力实现紧密接触.在峰值温度为300℃、持续时间为2 min的条件下实现了良好的键合效果,其剪切力平均值达到16.663 kg,漏率小于2×10-3 Pa·cm3/s,满足检验标准(GJB548A)的要求,验证了Au/Sn共晶键合技术在MEMS气密封装中的适用性.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	徐永青	中国电子科技集团公司第十三研究所	11	118	5.0	10.0
2	杨拥军	中国电子科技集团公司第十三研究所	44	220	7.0	13.0
3	杨志		9	50	4.0	7.0
4	胥超	中国电子科技集团公司第十三研究所	6	30	4.0	5.0