溅射功率对TaN薄膜电阻电性能的影响

• 作者: 曹乾涛 王飞
• 来源期刊: 中国材料科技与设备
• 学科: 工学
• 关键词: 反应磁控溅射 溅射功率 TaN薄膜电阻 薄膜电阻率 TCR 功率容量
• 年，卷（期）: 2014,（3）
• 页码范围: 1-3
• 页数: 3页
• 分类号: TB741

摘要

本文利用直流反应磁控溅射技术，通过调节溅射功率于200℃、3％的氮分压条件在Al2O3基片上沉积了一系列TaN薄膜，并使用光刻工艺制备出相应的TaN薄膜电阻，研究了溅射功率对TaN薄膜电阻率、电阻温度系数（TCR）和功率容量的影响。实验结果表明：当溅射功率从200W增大到1000W，TaN薄膜电阻率逐渐减小，TCR绝对值从几百ppm／℃降为几十ppm／℃，功率容量呈现逐渐增大趋势。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王飞		1	0	0.0	0.0
2	曹乾涛		2	0	0.0	0.0