TaN薄膜电阻的功率加载特性研究

• 作者: 何文杰 石磊 秦跃利 谢飞
• 来源期刊: 电子元件与材料
• 学科: 物理学
• 关键词: TaN 薄膜电阻 失效 功率加载 氧化 温度
• 年，卷（期）: 2015,（3）
• 页码范围: 1-3
• 页数: 3页
• 分类号: O484.42
• 字数: 3415字
• 语种: 中文
• DOI: 10.14106/j.cnki.1001-2028.2015.03.001

摘要

通过射频反应溅射，在氧化铝基板上制备了TaN薄膜电阻。研究了TaN薄膜电阻在不同加载功率密度下表面温度的变化，研究了高温下TaN薄膜氧化所造成的电阻失效。按照混合集成电路规范的测试条件，在环境温度为70℃，TaN薄膜电阻的厚度为0.1μm，氧化铝基板厚度为0.125 mm的条件下，TaN薄膜电阻可以耐受4 W/mm2的功率密度，或者9.4 W/mm2的1min瞬时功率密度冲击。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	秦跃利		6	11	2.0	3.0
2	谢飞		3	8	2.0	2.0
3	何文杰		1	2	1.0	1.0
4	石磊		1	2	1.0	1.0