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摘要:
通过射频反应溅射,在氧化铝基板上制备了TaN薄膜电阻。研究了TaN薄膜电阻在不同加载功率密度下表面温度的变化,研究了高温下TaN薄膜氧化所造成的电阻失效。按照混合集成电路规范的测试条件,在环境温度为70℃,TaN薄膜电阻的厚度为0.1μm,氧化铝基板厚度为0.125 mm的条件下,TaN薄膜电阻可以耐受4 W/mm2的功率密度,或者9.4 W/mm2的1min瞬时功率密度冲击。
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内容分析
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文献信息
篇名 TaN薄膜电阻的功率加载特性研究
来源期刊 电子元件与材料 学科 物理学
关键词 TaN 薄膜电阻 失效 功率加载 氧化 温度
年,卷(期) 2015,(3) 所属期刊栏目
研究方向 页码范围 1-3
页数 3页 分类号 O484.42
字数 3415字 语种 中文
DOI 10.14106/j.cnki.1001-2028.2015.03.001
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 秦跃利 6 11 2.0 3.0
2 谢飞 3 8 2.0 2.0
3 何文杰 1 2 1.0 1.0
4 石磊 1 2 1.0 1.0
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研究主题发展历程
节点文献
TaN
薄膜电阻
失效
功率加载
氧化
温度
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
电子元件与材料
月刊
1001-2028
51-1241/TN
大16开
成都市一环路东二段8号宏明商厦702室
62-36
1982
chi
出版文献量(篇)
5158
总下载数(次)
16
总被引数(次)
31758
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