基于加速退化试验的模拟IC寿命评估研究

• 作者: 代天君 晏开华 李金龙 王健安 罗俊 郝跃 黄姣英
• 来源期刊: 微电子学
• 学科: 工学
• 关键词: 半导体器件 加速退化试验 可靠性 寿命评估
• 年，卷（期）: 2014,（4）
• 所属期刊栏目: 半导体器件与工艺
• 页码范围: 523-526
• 分类号: TN722.7
• 语种: 中文

摘要

为解决高可靠性、长寿命模拟集成电路的寿命评估问题,结合半导体器件退化失效的特点,提出了基于加速退化试验的模拟集成电路寿命评估方法.在此基础上,以某型电压基准模拟IC为研究对象,通过对退化数据的分析研究,获得了其在正常工作应力下的寿命数据.