中子辐照6H-SiC晶体的光学性质及缺陷分析

• 作者: 侯贝贝 李连钢 王鹏飞 阮永丰 陈敬 黄丽
• 来源期刊: 硅酸盐学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 中子辐照 掺氮碳化硅晶体 光学性质 类铍原子模型
• 年，卷（期）: 2014,（3）
• 所属期刊栏目: 人工晶体
• 页码范围: 349-356
• 页数: 8页
• 分类号: O77+4
• 语种: 中文
• DOI: 10.7521/j.issn.0454-5648.2014.03.15

摘要

利用透射电子显微镜、紫外-可见-近红外光谱和Raman光谱,对剂量为1.67 × 1020 n/cm2中子辐照的n型半导体6H-SiC晶体进行了微观结构、光学性质及退火过程的研究.结果显示,辐照并没有造成样品的完全非晶化,辐照缺陷主要是点缺陷及其聚集体.辐照后的样品的光吸收明显增加,带隙变小,Urbach能量变大,且在1 178、1 410和1 710 nm处出现新的吸收峰.1 178和1 410nm峰的出现归因于辐照产生的Si空位VSi.对辐照样品进行了室温至1600℃退火,发现800℃是退火过程的转折点.低于800℃退火时,样品中的Frankel对、间隙原子和C空位VC消失;高于800℃退火时,含Si空位VSi缔合缺陷及复杂缺陷团分解湮灭.为了解释与VSi有关的多个光谱峰,建立了SiC中硅空位的“类铍原子模型”.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	阮永丰	天津大学理学院	57	357	11.0	14.0
2	王鹏飞	天津大学理学院	16	132	6.0	11.0
3	黄丽	运城学院物理与电子工程系	6	10	2.0	3.0
4	李连钢	天津大学理学院	4	8	2.0	2.0
5	侯贝贝	天津大学理学院	4	22	4.0	4.0
6	陈敬	天津大学理学院	5	33	4.0	5.0