MOCVD生长1.06 μm波段InGaAs/GaAs单量子阱材料的发光特性研究

• 作者: 乔忠良 刘洋 戴银 曲轶 李林 李特 苑汇帛 谷雷
• 来源期刊: 中国激光
• 学科: 物理学
• 关键词: 材料 金属有机化学气相沉积 InGaAs/GaAs量子阱 偏向角 发光强度 半峰全宽
• 年，卷（期）: 2014,（11）
• 所属期刊栏目: 材料
• 页码范围: 173-177
• 页数: 5页
• 分类号: O472+.3
• 语种: 中文
• DOI: 10.3788/CJL201441.1106001

摘要

利用金属有机化学气相沉积(MOCVD)技术,在不同偏向角的GaAs衬底上生长了InGaAs/GaAs单量子阱外延结构.通过对样品室温光致发光(PL)谱测试结果的分析,讨论了衬底偏向角、量子阱层生长温度以及Ⅴ/Ⅲ比对外延片发光波长、发光强度及PL谱半峰全宽(FWHM)的影响.发现在相同生长条件下,对于InGaAs/GaAs应变量子阱结构,在GaAs(100)偏＜111＞A晶向较小偏向角的衬底上生长的样品PL谱发光强度较大,半峰全宽较窄;量子阱层低温生长的样品发光强度更强;增大量子阱层Ⅴ/Ⅲ比可以提高样品的发光强度,同时PL谱峰值波长出现红移.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘洋		30	38	3.0	5.0
2	曲轶		39	163	7.0	11.0
3	李特		12	27	3.0	5.0
4	李林		30	177	8.0	12.0
5	乔忠良		19	88	6.0	9.0
6	苑汇帛		3	0	0.0	0.0
7	戴银		3	1	1.0	1.0
8	谷雷		3	1	1.0	1.0