相变存储器失效时间分析

• 作者: 宋志棠 蔡道林 陈一峰 霍如如 魏宏阳
• 来源期刊: 电子元件与材料
• 学科: 工学
• 关键词: 相变存储器 RESET 失效时间 温度 阻值 晶粒生长
• 年，卷（期）: 2015,（10）
• 所属期刊栏目: 研究与试制
• 页码范围: 40-42,63
• 页数: 4页
• 分类号: TN407
• 字数: 2256字
• 语种: 中文
• DOI: 10.14106/j.cnki.1001-2028.2015.10.010

摘要

从保持力失效时间的角度出发，对相变存储器实施了保持力加速寿命实验。实验过程中发现，在比较高的温度下，随着测试时间的增长，存储器单元的RESET阻值会逐渐变小。这个现象符合Arrhenius模型。而且，温度越高，失效时间越短。不同初始 RESET 阻值条件下的阻值分布曲线也验证了通过增加非晶区域的有效体积可以改善保持力可靠性。不同存储器单元的失效时间分布也验证了一个假设：若在非晶区域中本来就存在晶粒，则晶粒生长重组会缩短失效时间；若是晶化过程发生在非晶区域和结晶区域的边界处，失效时间会明显增长。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	蔡道林	中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室	7	30	3.0	5.0
2	魏宏阳	中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室	1	1	1.0	1.0
6	陈一峰	中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室	2	3	1.0	1.0
7	霍如如	中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室	1	1	1.0	1.0