基于数字模拟的PECVD沉积氮化硅薄膜的工艺参数决策方法研究

• 作者: 吴晓松 李玉鹏 褚学宁
• 来源期刊: 真空科学与技术学报
• 学科: 工学
• 关键词: 氮化硅薄膜 等离子体增强化学气相沉积 工艺参数优化 正交实验 数字模拟
• 年，卷（期）: 2015,（3）
• 所属期刊栏目: 功能薄膜
• 页码范围: 281-289
• 分类号: TQ153.1|TP391.7
• 语种: 中文
• DOI: 10.13922/j.cnki.cjovst.2015.03.06

摘要

提出了基于数字模拟的等离子体增强化学气相沉积(PECVD)沉积氮化硅薄膜的工艺参数决策方法.氮化硅薄膜的主要影响因子和质量特性参数通过领域知识和专家意见先期获得,通过单因素物理试验获得工艺参数和质量特性参数之间的关系,通过数字模拟的正交试验获得最佳的工艺参数.考虑到PECVD沉积氮化硅薄膜实验所需的时间和费用,基于数字模拟的PECVD沉积氮化硅薄膜的工艺参数决策方法可以在数据离散化、领域知识不充分的环境中高效经济地进行工艺参数的优化选择.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	褚学宁	上海交通大学机械与动力工程学院	67	602	16.0	21.0
2	李玉鹏	上海交通大学机械与动力工程学院	9	87	6.0	9.0
3	吴晓松	上海交通大学机械与动力工程学院	7	13	2.0	3.0