应用厚缓冲层实现蓝宝石上高质量AlN外延层的MOCVD生长

• 作者: 叶嗣荣 李艳炯 杨晓波 赵文伯 赵红
• 来源期刊: 半导体光电
• 学科: 工学
• 关键词: AlN MOCVD 原子力显微镜 X射线衍射
• 年，卷（期）: 2015,（3）
• 所属期刊栏目: 材料、结构及工艺
• 页码范围: 412-416
• 分类号: TN304.54
• 语种: 中文

摘要

在蓝宝石衬底上采用由低温AlN成核层、中温AlN生长层、温度渐变AlN生长层和高温AlN生长层组成的厚三维生长缓冲层来实现AlN外延层位错密度的减少和应力的释放.用光学显微镜、原子力显微镜(AFM)及X射线衍射仪对样品进行了表征,结果表明所生长外延层表面无裂纹,并显示出清晰的阶梯流表面形貌,其平均粗糙度为0.160 nm,KOH腐蚀坑密度为5.8×108 cm-2,(0002)和(10-12)回摆曲线FWHM分别为210”和396”.详细论述了AlN外延层的生长模式、位错行为和应力释放途径.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	赵红		11	53	4.0	7.0
2	赵文伯		20	159	5.0	12.0
3	李艳炯		6	7	2.0	2.0
4	叶嗣荣		15	64	4.0	8.0
5	杨晓波		11	33	3.0	5.0