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SRAM型FPGA的SEU容错技术研究
SRAM型FPGA的SEU容错技术研究
作者:
许仕龙
郝亚男
高欣
基本信息来源于合作网站,原文需代理用户跳转至来源网站获取
SRAM型FPGA
单粒子翻转
可靠性
摘要:
在空间辐射环境下,SRAM型FPGA比ASIC器件更容易产生单粒子翻转(SEU)效应,造成器件逻辑错误和系统故障,因此对航天应用中的SRAM型FPGA必须采取相应的抗单粒子翻转设计措施,提高FPGA空间应用的可靠性.分析了SEU产生原因及国内外针对SEU效应提出的FPGA加固设计方法,重点分析介绍了三模冗余技术、刷新回读技术和局部动态可重构技术等加固技术,总结比较了各种技术的优缺点.
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现场可编程门阵列
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三模冗余
局部重构
内容分析
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引文网络
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内容分析
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相关文献总数
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文献信息
篇名
SRAM型FPGA的SEU容错技术研究
来源期刊
中国集成电路
学科
工学
关键词
SRAM型FPGA
单粒子翻转
可靠性
年,卷(期)
2015,(10)
所属期刊栏目
设计
研究方向
页码范围
31-36
页数
6页
分类号
TN432
字数
4709字
语种
中文
DOI
五维指标
作者信息
序号
姓名
单位
发文数
被引次数
H指数
G指数
1
许仕龙
中国电子科技集团公司第五十四研究所
8
26
3.0
5.0
2
郝亚男
中国电子科技集团公司第五十四研究所
5
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研究主题发展历程
节点文献
SRAM型FPGA
单粒子翻转
可靠性
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
中国集成电路
主办单位:
中国半导体行业协会
出版周期:
月刊
ISSN:
1681-5289
CN:
11-5209/TN
开本:
大16开
出版地:
北京朝阳区将台西路18号5号楼816室
邮发代号:
创刊时间:
1994
语种:
chi
出版文献量(篇)
4772
总下载数(次)
6
总被引数(次)
7210
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