InAsSb材料的LP-MOCVD生长

• 作者: 尹飞 徐庆安 汪韬 王警卫 辛丽伟 邵逸恺 闫欣
• 来源期刊: 半导体光电
• 学科: 工学
• 关键词: InAsSb LP-MOCVD 超晶格 GaSb衬底 红外探测器
• 年，卷（期）: 2015,（5）
• 所属期刊栏目: 材料、结构及工艺
• 页码范围: 733-735,740
• 分类号: TN215
• 语种: 中文

摘要

采用低压金属有机物化学气相沉积(LP-MOCVD)设备,在(100)面GaSb单晶衬底上生长了高质量的InAsSb材料.分析了InAs/GaSb超晶格红外材料在不同生长条件下的生长质量,对器件材料结构进行了表征,并进行了理论分析和优化生长.采用X射线双晶衍射原子力显微镜对其外延薄膜的单晶质量进行分析,得到外延层与衬底材料的晶格失配仅为-0.43％.通过调节过渡层材料来减小界面处的应变,提高材料的生长质量,利用光致发光谱对材料做了检测分析.给出了InAsSb材料的LP-MOCVD生长的参数分析和测量分析,为以后生长和分析InAsSb材料提供了很好的基础.