图形化蓝宝石衬底上利用AlN缓冲层生长GaN的研究

• 作者: 侯想 李前进 葛久志 项艺
• 来源期刊: 光学与光电技术
• 学科: 工学
• 关键词: 氮化镓 衬底 缓冲层 氮化铝 发光二极管
• 年，卷（期）: 2015,（4）
• 所属期刊栏目: 材料与器件
• 页码范围: 91-95
• 分类号: TN304.2+3
• 语种: 中文

摘要

利用MOCVD技术,分别在图形化蓝宝石衬底(PSS)、沉积有AlN薄膜的图形化蓝宝石衬底(PSS-A)和经过选择性刻蚀掉部分AlN的AlN薄膜的图形化蓝宝石衬底(PSS-E)上外延生长GaN.在高倍金相显微镜下面观察了生长的表面形貌,利用AFM测量了外延片表面的粗糙度,对比分析了三种样品(002)面和(102)面XRD的FWHM,然后对三个样品切片,SEM观察了三种样品的剖面图,最终将三种样品衬底的外延片制备成相同产品,对比分析了样品的LED芯片的光电参数.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李前进		1	0	0.0	0.0
2	葛久志		3	5	1.0	2.0
3	侯想		1	0	0.0	0.0
4	项艺		1	0	0.0	0.0