利用ICPCVD方法在GaN上沉积氧化硅薄膜的特性

• 作者: 刘秀娟 张燕 李向阳
• 来源期刊: 红外与毫米波学报
• 学科: 工学
• 关键词: ICP-CVD SiOx 薄膜应力 表面粗糙度 界面态密度
• 年，卷（期）: 2015,（1）
• 页码范围: 23-28
• 页数: 6页
• 分类号: TN23
• 字数: 2892字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3724/SP.J.1010.2015.00023

摘要

使用感应耦合等离子体化学气相沉积(Inductively coupled plasma chemical vapor deposition,ICPCVD)方法在GaN上沉积SiOx薄膜,生长参数中采用不同RF功率,研究RF功率对薄膜物理性能和电学性能的影响.结果发现,随着RF功率增大,薄膜应力增大,表面粗糙度减小,薄膜致密度增大.选择最优的RF功率参数,制作了SiOx/n-GaN金属-绝缘体-半导体(metal-insulator-semiconductor,MIS)器件,结果得到薄膜漏电流密度在外加偏压为90V时小于1×10-7 A/cm2,SiOx/n-GaN界面态密度为2.4 × 1010 eV-1cm-2.表明利用ICPCVD低温沉积的SiOx-GaN界面态密度低,薄膜绝缘性能良好.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李向阳	中国科学院上海技术物理研究所传感技术国家重点实验室	110	438	10.0	14.0
2	张燕	中国科学院上海技术物理研究所传感技术国家重点实验室	84	800	13.0	26.0
3	刘秀娟	中国科学院上海技术物理研究所传感技术国家重点实验室	9	43	4.0	6.0