磁控溅射法制备 ZnO：Ga 薄膜的结晶质量及其应力研究

• 作者: 兰椿 钟志有 陆轴 龙路
• 来源期刊: 中南民族大学学报（自然科学版）
• 学科: 工学
• 关键词: 磁控溅射 氧化锌薄膜 掺杂 结晶质量
• 年，卷（期）: 2015,（1）
• 所属期刊栏目: 物理与电子信息科学
• 页码范围: 66-72
• 页数: 7页
• 分类号: TM914
• 字数: 4103字
• 语种: 中文

摘要

以氧化锌（ ZnO）掺杂氧化镓（ Ga2 O3）的陶瓷靶作为溅射靶材，采用射频磁控溅射技术在玻璃衬底上制备了透明导电的掺镓氧化锌（ ZnO：Ga）薄膜．通过X射线衍射仪测试研究了衬底温度对薄膜结晶性能及其残余应力的影响．研究结果表明：所有ZnO：Ga薄膜均为六角纤锌矿型的多晶结构并具有（002）方向的择优取向特性，其结晶性能和残余应力与衬底温度密切相关．随着衬底温度的升高，薄膜的（002）择优取向程度和晶粒尺寸呈现出先增大后减小的变化趋势，而薄膜的残余压应力则单调减小．当衬底温度为400℃时，ZnO：Ga薄膜具有最大的晶粒尺寸（75．1 nm）、最大的织构系数TC（002）（2．995）、较小的压应力（－0．185 GPa）和最好的结晶性能．

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	钟志有	中南民族大学电子信息工程学院	67	360	11.0	14.0
5	龙路	中南民族大学电子信息工程学院	11	55	4.0	7.0
6	陆轴	中南民族大学电子信息工程学院	19	78	6.0	8.0
7	兰椿	中南民族大学电子信息工程学院	6	43	4.0	6.0