全In组分可调InGaN的分子束外延生长

• 作者: 刘世韬 沈波 王平 王新强 郑显通 马定宇
• 来源期刊: 中国科学（物理学 力学 天文学）
• 关键词: InN InxGa1-xN 分子束外延
• 年，卷（期）: 2015,（6）
• 所属期刊栏目: 评述
• 页码范围: 1-13
• 页数: 13页
• 语种: 中文
• DOI: 10.1360/SSPMA2015-00114

摘要

Ⅲ族氮化物InxGa1-xN合金为直接带隙半导体,其禁带宽度随着In组分变化从3.43 eV (GaN)到0.64eV(InN)连续可调,波长范围覆盖了0.3-1.9 μm,具有电子饱和速度高和光学吸收系数大等特点,是制备高效率全光谱太阳能电池和白光照明器件的理想材料.由于缺少合适的衬底,InN和InxGa1-xN薄膜通常生长在蓝宝石或GaN模板上.本论文综述了采用MBE方法,在蓝宝石衬底和GaN模板上生长了InN和全组分InxGa1-xN薄膜的生长行为和材料物理性质.利用MBE边界温度控制法在蓝宝石衬底上生长高室温电子迁移率的InN薄膜,利用温度控制外延法在GaN/蓝宝石模板上制备了全组分InxGa1-xN薄膜.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王平		66	534	13.0	21.0
2	王新强		9	12	2.0	3.0
3	沈波		13	17	3.0	3.0
4	刘世韬		1	0	0.0	0.0
5	郑显通		1	0	0.0	0.0
6	马定宇		1	0	0.0	0.0