a-Si∶H基薄膜中SiH及SiH2键构成对n型直拉单晶硅片钝化效果的影响研究

• 作者: 何玉平 周浪 黄海宾 龚洪勇
• 来源期刊: 真空科学与技术学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 掺氧 热处理 本征非晶硅薄膜 钝化 SiH键 SiH2键
• 年，卷（期）: 2015,（8）
• 所属期刊栏目: 功能薄膜
• 页码范围: 970-974
• 分类号: O472+.1
• 语种: 中文
• DOI: 10.13922/j.cnki.cjovst.2015.08.09

摘要

n型单晶硅表面本征非晶硅基薄膜(a-Si∶H)的钝化作用是高效率非晶硅/晶体硅异质结太阳电池的关键.本文采用掺氧和热处理的方式改变本征非晶硅基薄膜(a-Si∶ H)样品中SiH和SiH2键构成,利用SintonW CT-120少子寿命测试仪及傅里叶红外光谱测试仪分析样品性能,研究SiH和Sin键构成对n型直拉单晶硅片(n-Cz-Si)表面钝化效果的影响.结果表明:①掺氧和热处理均会增加a-Si∶H中SiH2键相对于SiH键的比例;②在200～ 350℃范围内,随着热处理温度的升高,薄膜中SiH2键相对于SiH键的比例增加,薄膜对n-Cz-Si的钝化效果先变好,在275℃时达到极值后变差;③a-Si∶H薄膜中SiH2键和SiH键的相对含量对n-Cz-Si表面的钝化效果有直接的影响,根据实验结果,SiH2与SiH键相对含量在一定范围时钝化效果最好,过高或过低均不利于钝化.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	周浪	南昌大学光伏研究院	110	1018	16.0	26.0
2	何玉平	南昌大学光伏研究院	25	55	4.0	6.0
4	黄海宾	南昌大学光伏研究院	15	40	4.0	6.0
7	龚洪勇	南昌大学光伏研究院	4	25	3.0	4.0