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摘要:
采用脉冲直流反应磁控溅射技术在不同的占空比条件下制备了氧化钒薄膜.利用X射线光电子能谱仪测定了薄膜的组分,用光谱椭偏仪在300~850 nm的波长范围内对薄膜的光学性质进行了研究.实验结果表明降低占空比具有促进金属钒氧化的作用,而通过采用Tauc-Lorentz谐振子色散模型结合有效介质近似模型对椭偏参数ψ和△进行拟合,得到了较为理想的拟合结果.薄膜的复折射率和透过率均由椭偏拟合结果确定,结果发现占空比的下降,导致了可见光范围内薄膜折射率和消光系数的降低以及透过率的提高.
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文献信息
篇名 脉冲反应磁控溅射氧化钒薄膜的光谱椭偏研究
来源期刊 半导体光电 学科 工学
关键词 氧化钒薄膜 光谱椭偏 脉冲直流反应磁控溅射 占空比 Tauc-Lorentz模型
年,卷(期) 2015,(2) 所属期刊栏目 材料、结构及工艺
研究方向 页码范围 220-225
页数 分类号 TN304.055
字数 语种 中文
DOI
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 吴志明 电子科技大学光电信息学院电子薄膜与集成器件国家重点实验室 78 544 13.0 17.0
2 于贺 电子科技大学光电信息学院电子薄膜与集成器件国家重点实验室 7 58 4.0 7.0
3 顾德恩 电子科技大学光电信息学院电子薄膜与集成器件国家重点实验室 12 117 5.0 10.0
4 董翔 电子科技大学光电信息学院电子薄膜与集成器件国家重点实验室 5 11 2.0 3.0
5 许向东 电子科技大学光电信息学院电子薄膜与集成器件国家重点实验室 15 68 6.0 8.0
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研究主题发展历程
节点文献
氧化钒薄膜
光谱椭偏
脉冲直流反应磁控溅射
占空比
Tauc-Lorentz模型
研究起点
研究来源
研究分支
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引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
半导体光电
双月刊
1001-5868
50-1092/TN
大16开
重庆市南坪花园路14号44所内
1976
chi
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