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低压功率 VDMOS 的设计研究
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摘要：
本文对功率集成电路中耐压为60 V,电流容量为2.5 A 的 VDMOS 进行了设计和仿真。在理论计算的基础上,分析了外延参数和单胞尺寸结构的设计优化方法。通过应用 ISE TCAD 器件仿真软件,得出了相关终端结构,进而完成了最终版图结构。
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期刊影响力
新技术新工艺
主办单位：
中国兵器工业新技术推广研究所
出版周期：
月刊
ISSN：
1003-5311
CN：
11-1765/T
开本：
大16开
出版地：
北京车海淀区车道沟10号院科技1号楼804室
邮发代号：
2-396
创刊时间：
1979
语种：
chi
出版文献量（篇）
8183
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