溅射条件对ZnO:Al薄膜生长和性能的影响

• 作者: 代明江 侯惠君 林松盛 石倩 胡芳 韦春贝
• 来源期刊: 中国有色金属学报（英文版）
• 关键词: ZnO薄膜 中频磁控溅射 样品台转速 靶-基距离 光电性能
• 年，卷（期）: 2015,（5）
• 页码范围: 1517-1524
• 页数: 8页
• 字数: 573字
• 语种: 英文
• DOI: 10.1016/S1003-6326(15)63753-0

摘要

采用中频磁控溅射法在玻璃基体上制备Al掺杂ZnO薄膜(AZO),分别利用扫描电子显微镜(SEM)、原子力显微镜(AFM)、X射线衍射仪(XRD)、分光光度计及霍尔测试系统研究不同沉积条件如样品台转速和靶-基距离对薄膜光学、电学、微观形貌及晶体结构的影响.XRD结果表明,所有AZO薄膜都呈c轴择优取向,薄膜的结晶度随着样品台转速的增大而降低,且晶粒呈非平衡状态生长.而在不同的靶-基距离时,薄膜具有相似的微观结构和表面形貌.当样品台转速为0、靶-基距离为7 cm时,AZO薄膜的光电性能最好,载流子浓度和霍尔迁移率分别为5.9×1020 cm-3和13.1 cm2/(V·s).研究结果表明,样品台转速是影响AZO膜的结构和性能的主要因素.