射频功率对ITZO薄膜结构、形貌及光电特性的影响

• 作者: 刘媛媛 宋淑梅 李延辉 杨田林 王昆仑 童杨
• 来源期刊: 人工晶体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 铟锡锌氧化物薄膜 光学带隙 光电特性 射频功率
• 年，卷（期）: 2015,（9）
• 页码范围: 2338-2342,2349
• 页数: 6页
• 分类号: TN304.2
• 字数: 3458字
• 语种: 中文

摘要

在室温下采用射频磁控溅射方法在玻璃衬底上制备了200 nm厚的铟锡锌氧化物(ITZO)薄膜,研究了不同功率下薄膜结构、形貌、光学和电学性能的变化规律.结果表明,ITZO薄膜为非晶薄膜并且有着良好的光电特性,其平均光学透过率超过了84％,载流子霍尔迁移率高达24 em2·V-1·s-1.随着射频功率从50 W上升到100 W,薄膜的光学带隙从3.68 eV逐渐增加到3.76 eV.研究发现,薄膜的电学性能强烈依赖于射频功率.随着功率的增加,薄膜的电学性能呈现出先变好后变差的变化规律.当射频功率为80 W时,ITZO薄膜拥有最佳的电学性能,其电阻率为3.80×10-4Ω·cm,载流子浓度为6.45×1020 cm-3,霍尔迁移率为24.14 cm2·V-1· s-1.