磁控溅射法制备Si1-xGex/B多层薄膜及其热电性能研究

• 作者: 刘呈燕 杜鑫 王潇漾 苗蕾
• 来源期刊: 新能源进展
• 学科: 工学
• 关键词: 热电材料 硅锗薄膜 纳米结构 热电性能
• 年，卷（期）: 2016,（5）
• 页码范围: 345-350
• 页数: 6页
• 分类号: TK6
• 字数: 3684字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.2095-560X.2016.05.002

摘要

本文通过磁控溅射法制备了一种独特的SiGe/B五层结构薄膜材料，每层结构包含60 nm的Si60Ge40层和0.55 nm的B层。实验考察了薄膜材料的热电性能，结果表明：B掺杂的溅射时间最佳为30 s；当退火温度为650℃时，薄膜的致密性最好，且在此温度下具有较高的Seebeck系数，最大值为6.75×10?4 V/K，电阻率最小值为1.6×10?5?·m，其功率因子最大值为0.026 W/(m·K2)。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	苗蕾	中国科学院广州能源研究所中国科学院可再生能源重点实验室	9	52	4.0	7.0
3	刘呈燕	中国科学院广州能源研究所中国科学院可再生能源重点实验室	3	10	2.0	3.0
5	杜鑫	中国科学院广州能源研究所中国科学院可再生能源重点实验室	44	886	18.0	28.0
13	王潇漾	中国科学院广州能源研究所中国科学院可再生能源重点实验室	1	0	0.0	0.0