退火温度对室温沉积的ITO薄膜与p-Si接触性能的影响

• 作者: 吴斯泰 姚函妤 李金泽 沈小亮 沈鸿烈
• 来源期刊: 半导体光电
• 学科: 物理学
• 关键词: ITO薄膜 欧姆接触 p型单晶硅 退火
• 年，卷（期）: 2016,（5）
• 所属期刊栏目: 材料、结构及工艺
• 页码范围: 666-670,675
• 分类号: O484
• 语种: 中文
• DOI: 10.16818/j.issn1001-5868.2016.05.014

摘要

室温下用射频磁控溅射法在玻璃和p型单晶硅衬底上沉积ITO薄膜,并对其进行不同温度的退火处理.采用XRD衍射仪测试薄膜结晶性,用紫外-可见分光光度计和霍尔效应测试试样光电性能,用吉时利2400表测试ITO/p-Si接触的I-V曲线,用线性传输线模型测试比接触电阻.研究结果表明:室温下沉积的ITO薄膜与p-Si形成欧姆接触,但比接触电阻较大.退火处理可以进一步优化接触性能,200℃退火后试样保持欧姆接触且比接触电阻下降为8.8×10-3 Ω·cm2.随着退火温度进一步升高到300℃,比接触电阻达到最低值2.8×10-3 Ω·cm2,但接触性能变为非线性.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	沈鸿烈	南京航空航天大学材料科学与技术学院江苏省能量转换材料与技术重点实验室	93	264	9.0	10.0
3	吴斯泰	南京航空航天大学材料科学与技术学院江苏省能量转换材料与技术重点实验室	3	1	1.0	1.0
4	姚函妤	南京航空航天大学材料科学与技术学院江苏省能量转换材料与技术重点实验室	7	6	1.0	2.0
5	沈小亮	南京航空航天大学材料科	2	1	1.0	1.0
6	李金泽	南京航空航天大学材料科学与技术学院江苏省能量转换材料与技术重点实验室	9	21	3.0	4.0