射频反应磁控溅射制备AlN多晶薄膜及其择优取向研究

• 作者: 徐军 王行行 谭伟 陆文琪
• 来源期刊: 真空科学与技术学报
• 学科: 物理学
• 关键词: AlN薄膜 择优取向 红外吸收光谱 RF反应磁控溅射
• 年，卷（期）: 2016,（10）
• 所属期刊栏目: 结构薄膜
• 页码范围: 1092-1098
• 分类号: O484.1|O433.5+1
• 语种: 中文
• DOI: 10.13922/j.cnki.cjovst.2016.10.02

摘要

采用RF反应磁控溅射在Si(111)基片上制备了多晶AlN薄膜,研究了工作气压对AlN薄膜晶面择优取向的影响.利用台阶仪、X射线衍射(XRD)、红外吸收光谱(FTiR)对AlN薄膜的沉积速率、晶体结构、化学结构及成分进行了表征.结果表明:工作气压对AlN薄膜晶面择优取向具有十分显著的影响,当工作气压低于0.6 Pa时,薄膜呈现(002)晶面择优取向;当气压增加到1 Pa时,AlN薄膜呈现(100),(002)混合晶面取向;当工作气压为1.5 Pa时,(002)晶面衍射峰消失,薄膜呈现(100)晶面择优取向.根据分析结果,提出了工作气压对AlN薄膜择优取向的影响机制,其次,在AlN薄膜的FTIR光谱中,Al-N键振动在波数为678 cm-1处有强烈的吸收峰,Al-N振动吸收峰包含A1(TO)模式以及E1(TO)模式,分别位于612,672cm-1附近,A1(TO)模式与E1(TO)模式振动吸收峰的积分面积之比与AlN薄膜的择优取向有关.结果显示FTIR技术可以作为XRD的补充手段,用于表征多晶AlN薄膜的择优取向.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	徐军	大连理工大学物理与光电工程学院三束材料改性教育部重点实验室	51	346	11.0	14.0
2	陆文琪	大连理工大学物理与光电工程学院三束材料改性教育部重点实验室	13	101	7.0	9.0
3	谭伟	大连理工大学物理与光电工程学院三束材料改性教育部重点实验室	1	2	1.0	1.0
4	王行行	大连理工大学物理与光电工程学院三束材料改性教育部重点实验室	1	2	1.0	1.0