直拉硅单晶中微缺陷的特征及演变

• 作者: 佟丽英 高丹
• 来源期刊: 合肥工业大学学报（自然科学版）
• 学科: 工学
• 关键词: 微缺陷 氧化诱生 漩涡缺陷 氧化层错
• 年，卷（期）: 2016,（9）
• 所属期刊栏目: 材料科学与工程
• 页码范围: 1196-1198,1225
• 页数: 4页
• 分类号: TN304.053
• 字数: 1985字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1003-5060.2016.09.009

摘要

直拉硅单晶抛光片经过高温氧化后，腐蚀显示出氧化诱生缺陷，包括漩涡缺陷和氧化层错（oxidation induced stacking faults ，OISF），其形状和分布与单晶生长过程中形成的微缺陷有一定的对应关系。文章通过试验显示出漩涡缺陷的内部特征及O IS F的密度变化，推测出其对器件性能产生的影响，并确定控制单晶质量的特征参数。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	佟丽英	中国电子科技集团公司第四十六研究所	19	22	3.0	3.0
2	高丹	中国电子科技集团公司第四十六研究所	7	4	1.0	2.0