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掺Fe高阻GaN缓冲层特性及其对AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管器件的影响研究?
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摘要：
推荐文章
0.5μm栅长HfO2栅介质的GaN金属氧化物半导体高电子迁移率晶体管
高电子迁移率晶体管
氮化镓
栅电流
射频特性
不同AlGaN层厚度的AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管的静态特性
高电子迁移率晶体管
氮化镓
功率器件
AlGaN/GaN HEMT低温直流特性研究
AlGaN/GaN HEMT
低温特性
饱和漏极电流
阈值电压
中子辐照对AlGaN/GaN 高电子迁移率晶体管器件电特性的影响
AlGaN/GaN HEMT
中子辐照
缺陷
退火
内容分析
关键词云
关键词热度
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引文网络
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研究主题发展历程
节点文献
高阻GaN
Fe掺杂
高电子迁移率晶体管
金属有机化合物化学气相沉淀
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
物理学报
主办单位：
中国物理学会
中国科学院物理研究所
出版周期：
半月刊
ISSN：
1000-3290
CN：
11-1958/O4
开本：
大16开
出版地：
北京603信箱
邮发代号：
2-425
创刊时间：
1933
语种：
chi
出版文献量（篇）
23474
总下载数（次）
35
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