溅射时间对GZO薄膜光电性能的影响

• 作者: 丛芳玲 刘旭 罗乐平 董玉红 赵杰 赵青南 顾宝宝
• 来源期刊: 硅酸盐通报
• 学科: 物理学
• 关键词: GZO薄膜 溅射时间 光电性能 射频磁控溅射
• 年，卷（期）: 2016,（12）
• 所属期刊栏目: 专题论文
• 页码范围: 3910-3914
• 页数: 5页
• 分类号: O484
• 字数: 3501字
• 语种: 中文

摘要

采用射频磁控溅射法在普通玻璃衬底上制备了Ga2O3含量为3wt.％的掺镓氧化锌透明导电薄膜(GZO).通过X射线衍射仪(XRD)、场发射扫描电子显微镜(SEM)、四探针测试仪、台阶仪、UV-Vis-NIR3600型紫外-可见分光光度计研究了溅射时间对薄膜结构、表面形貌及光电性能的影响.结果表明,溅射时间为40 min时制备的GZO薄膜的光电综合性能最好,可见光区透过率峰值86％,方阻为16.4Ω/□,电阻率为1.18 ×10-3Ω·cm,性能指数ΦTc为4.73 ×10-3 Ω-1;随着溅射时间增加,薄膜光学带系从3.69 eV减少到3.56 eV.在溅射时间60 min时结晶度最高,方块电阻为9.0Ω/□,电阻率最低为9.7×10-4 Ω·cm,可见光透过率峰值为81％.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	赵青南	武汉理工大学硅酸盐建筑材料国家重点实验室	45	423	12.0	19.0
3	丛芳玲	武汉理工大学硅酸盐建筑材料国家重点实验室	4	5	2.0	2.0
6	刘旭	武汉理工大学硅酸盐建筑材料国家重点实验室	16	77	4.0	8.0
7	罗乐平	武汉理工大学硅酸盐建筑材料国家重点实验室	4	5	2.0	2.0
8	顾宝宝	武汉理工大学硅酸盐建筑材料国家重点实验室	4	5	2.0	2.0
9	董玉红		14	18	2.0	4.0