一种基于片上测试系统的AlGaN/GaN HEMT器件大信号建模方法

• 作者: 史丽云 唐旻 沈溧 高建军
• 来源期刊: 实验室研究与探索
• 学科: 工学
• 关键词: AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管 大信号 模型 片上(在片)测试
• 年，卷（期）: 2016,（9）
• 所属期刊栏目: 专题研讨——虚拟仿真实验(37)
• 页码范围: 82-85,95
• 页数: 5页
• 分类号: TN386
• 字数: 2472字
• 语种: 中文

摘要

AlGaN/GaN材料是目前最吸引人的半导体材料之一.AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)器件的建模方法主要基于传统的GaAs FET模型分析方法,未考虑材料本身的新特性.通过使用片上测试系统,结合数值分析方法,提出了一种AlGaN/GaN HEMT器件的大信号模型,该模型中的寄生参数值可通过特殊测试结构和数值优化方法获得,模型中的直流参数可以通过改进传统STATZ直流模型获得,改进后模型的直流参数随着栅-源电压的变化而变化,比传统STATZ模型准确度提高了约10％.实验测量结果表明,在0.1 ～40 GHz的频率范围内,模型参数提取结果与器件测量结果吻合良好.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	高建军	华东师范大学信息科学技术学院	24	42	3.0	5.0
2	唐旻	上海交通大学高速电子系统设计与电磁兼容研究教育部重点实验室	10	16	2.0	3.0
3	史丽云	上海交通大学高速电子系统设计与电磁兼容研究教育部重点实验室	2	2	1.0	1.0
4	沈溧	华东师范大学信息科学技术学院	1	1	1.0	1.0