功率对磁控溅射法制备非晶硅薄膜的影响

• 作者: 周德让 未庆超 李景慧 郑金松
• 来源期刊: 产业与科技论坛
• 关键词: 磁控溅射 溅射功率 非晶硅薄膜
• 年，卷（期）: 2016,（13）
• 所属期刊栏目: 科技创新
• 页码范围: 84-85
• 页数: 2页
• 字数: 504字
• 语种: 中文

摘要

利用直流磁控溅射设备,以纯度为99.99％P型单晶硅为靶材,以石英玻璃为衬底,在50W～ 300W的范围内改变溅射功率,将制备后的薄膜进行厚度测量,进而得出沉积速率,绘制出来溅射功率与沉积速率之间的关系.结果表明:在50W～ 300W范围内,沉积速率随着溅射功率的增加过程大致呈线性关系.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	郑金松	安阳师范学院人文管理学院	3	4	1.0	1.0
2	未庆超	安阳师范学院人文管理学院	5	4	1.0	1.0
3	周德让	安阳师范学院人文管理学院	3	4	1.0	1.0
4	李景慧	安阳师范学院人文管理学院	1	1	1.0	1.0