利用选择性外延法生长单芯片双波长白光InGaN/GaN多量子阱结构

• 作者: 叶烜超 王福学
• 来源期刊: 光子学报
• 学科: 工学
• 关键词: 白光 发光二极管 选择性外延 GaN微面 多量子阱
• 年，卷（期）: 2017,（3）
• 所属期刊栏目: 光电子学
• 页码范围: 23-27
• 页数: 5页
• 分类号: TN304.23
• 语种: 中文
• DOI: 10.3788/gzxb20174603.0325002

摘要

为了制备单芯片无荧光粉白光InGaN/GaN多量子阱发光结构,利用选择性外延生长法在SiO2条纹掩膜板上生长出具有梯形形貌的GaN微面结构,并在该GaN微面结构上生长InGaN/GaN多量子阱结构,最终在单芯片上获得了双波长发光.结果表明:梯形GaN微面由(0001)和(11-22)面组成,两者的表面能和极性不同,并且在InGaN/GaN多量子阱生长过程中,In原子和Ga原子迁移速率不同,从而使得(0001)和(11-22)面上的多量子阱具有不同的发光波长;该性质可以使(11-22)面的微面量子阱发出蓝光(峰值波长为420 nm),而(0001)面的量子阱发出黄光(峰值波长为525 nm),最终形成双波长的复合白光外延结构.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王福学	无锡职业技术学院汽车与交通学院	2	2	1.0	1.0
2	叶烜超	江南大学理学院	1	0	0.0	0.0