4H-SiC中Al离子注入及其二次高温退火技术

• 作者: 刘瑞 夏经华 杨霏 潘艳 郑柳
• 来源期刊: 微纳电子技术
• 学科: 工学
• 关键词: 4H-SiC Al离子注入 二次高温退火 霍尔测试 二次离子质谱(SIMS) 空穴浓度 激活率
• 年，卷（期）: 2017,（4）
• 所属期刊栏目: 加工、测量与设备
• 页码范围: 268-272
• 页数: 5页
• 分类号: TN305.3|TN304.24
• 语种: 中文
• DOI: 10.13250/j.cnki.wndz.2017.04.008

摘要

在4H-SiC中进行Al离子注入,并进行了二次高温退火技术研究.样品中Al离子的注入浓度为3×1019 cm-3,对样品进行首次高温退火工艺后,在不同条件下对样品进行二次退火.退火后对样品进行霍尔测试和二次离子质谱(SIMS)测试.测试结果显示,二次退火工艺有助于进一步提升Al离子在碳化硅中的有效电激活率.在1 850℃下进行3 min首次退火后,1#样品的有效空穴浓度只有3.23×1017 cm-3.在1 850℃下进行3 min的二次退火后,2#样品的有效空穴浓度增大到了6.4×1018 cm-3.同时二次退火导致了Al离子总剂量的降低,二次退火时间越长,温度越高,Al离子总剂量降低越显著.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	夏经华	全球能源互联网研究院功率半导体研究所	4	3	1.0	1.0
2	杨霏	全球能源互联网研究院功率半导体研究所	14	36	3.0	5.0
3	潘艳	全球能源互联网研究院功率半导体研究所	8	8	1.0	2.0
4	郑柳	全球能源互联网研究院功率半导体研究所	4	3	1.0	1.0
5	刘瑞	全球能源互联网研究院功率半导体研究所	1	0	0.0	0.0