一种具有浮空P型埋层的新型FS-IGBT

• 作者: 周骏 成建兵 滕国兵 袁晴雯 郭厚东 陈旭东
• 来源期刊: 微电子学
• 学科: 工学
• 关键词: 场截止绝缘栅晶体管 击穿电压 负阻现象 折中关系
• 年，卷（期）: 2017,（2）
• 所属期刊栏目: 半导体器件与工艺
• 页码范围: 254-257,284
• 页数: 5页
• 分类号: TN321
• 字数: 2160字
• 语种: 中文

摘要

提出了一种在阳极引入浮空P型埋层的新型场截止绝缘栅晶体管(FS-IGBT).结合超结与阳极短路的思想,在相同仿真条件下,与传统FS-IGBT相比,新结构的击穿电压提高了13.9％.当通态电流密度为150 A/cm2时,新结构的优化压降增量小于9％,关断时间比传统结构降低了60％以上,并且工作时无负阻现象,实现了导通压降与关断功耗的良好折中.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	成建兵	南京邮电大学电子科学与工程学院	9	7	2.0	2.0
3	周骏	南京邮电大学电子科学与工程学院	5	2	1.0	1.0
4	陈旭东	南京邮电大学电子科学与工程学院	1	0	0.0	0.0
7	郭厚东	南京邮电大学电子科学与工程学院	1	0	0.0	0.0
8	滕国兵	南京邮电大学电子科学与工程学院	1	0	0.0	0.0
9	袁晴雯	南京邮电大学电子科学与工程学院	2	0	0.0	0.0