一种快速瞬态响应的无片外电容型LDO

• 作者: 张家豪 张波 明鑫 甄少伟 陈萍 高笛
• 来源期刊: 微电子学
• 学科: 工学
• 关键词: 无片外电容型LDO 超级跨导结构 快速瞬态响应
• 年，卷（期）: 2018,（1）
• 所属期刊栏目: 电路与系统设计
• 页码范围: 82-87
• 页数: 6页
• 分类号: TN432
• 语种: 中文
• DOI: 10.13911/j.cnki.1004-3365.170159

摘要

设计了一种快速瞬态响应的无片外电容型LDO.采用高增益高带宽的超级跨导结构(STC)的误差放大器,利用动态偏置技术与电容耦合技术,极大地增强了摆率.引入额外的快速响应环路,进一步提升了瞬态响应速度.基于0.18 μm CMOS工艺进行设计.结果表明,该LDO的最低供电电压为1V,漏失电压仅为200 mV,可提供最大100 mA的负载电流,能在最大输出电容为100 pF、最低负载为50 μA的条件下保证电路稳定.负载电流在0.5μs内由50 μA跳变至100mA时,LDO输出导致的过冲电压和下冲电压分别为200mV和306mY.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	明鑫	电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室	49	207	7.0	12.0
5	甄少伟	电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室	36	122	6.0	9.0
9	陈萍		30	131	5.0	11.0
10	高笛	电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室	4	1	1.0	1.0
11	张家豪	电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室	3	3	1.0	1.0