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摘要:
基于标准的GaAs赝配高电子迁移率晶体管(PHEMT)单片微波集成电路(MMIC)工艺设计并制备了一款宽带收发一体多功能电路芯片.该多功能芯片包含了功率放大器、低噪声放大器和收发开关.放大器采用电流复用拓扑结构实现了低功耗的目标.收发开关采用浮地结构避免了使用负电源.芯片在14~ 24 GHz工作频率的实测结果显示:接收支路噪声系数小于3.0dB,增益大于18 dB,输入及输出电压驻波比(VSWR)均小于2.0,1 dB压缩点输出功率大于0 dBm,直流功耗为60 mW;发射支路增益大于21 dB,输入输出VSWR均小于1.8,1dB压缩点输出功率大于10 dBm,直流功耗为180 mW.芯片尺寸为2 600 μm×1 800 μm.该多功能收发电路的在片测试结果和仿真结果一致,性能达到了设计要求.
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内容分析
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文献信息
篇名 采用电流复用拓扑的宽带收发一体多功能电路
来源期刊 半导体技术 学科 工学
关键词 收发一体多功能电路 GaAs单片微波集成电路(MMIC) 宽带 电流复用 浮地
年,卷(期) 2018,(4) 所属期刊栏目 半导体集成电路
研究方向 页码范围 250-254,265
页数 6页 分类号 TN432
字数 语种 中文
DOI 10.13290/j.cnki.bdtjs.2018.04.002
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 高学邦 中国电子科技集团公司第十三研究所 38 175 8.0 9.0
2 方园 中国电子科技集团公司第十三研究所 11 23 4.0 4.0
3 韩芹 中国电子科技集团公司第十三研究所 4 10 2.0 3.0
4 刘会东 中国电子科技集团公司第十三研究所 8 7 2.0 2.0
传播情况
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研究主题发展历程
节点文献
收发一体多功能电路
GaAs单片微波集成电路(MMIC)
宽带
电流复用
浮地
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
半导体技术
月刊
1003-353X
13-1109/TN
大16开
石家庄179信箱46分箱
18-65
1976
chi
出版文献量(篇)
5044
总下载数(次)
38
总被引数(次)
24788
论文1v1指导