区熔硅单晶生长过程建模综述

• 作者: 云娜 庞炳远
• 来源期刊: 电子工业专用设备
• 学科: 工学
• 关键词: 区熔法 硅单晶 过程建模
• 年，卷（期）: 2018,（3）
• 所属期刊栏目: 趋势与展望
• 页码范围: 7-9,31
• 页数: 4页
• 分类号: TN304.053
• 字数: 2486字
• 语种: 中文

摘要

针对区熔法高阻硅单晶的生长过程描述和基本特征,以晶体生长基本原理为基础,从生长机理与模型建立热传导模型(晶体内的热量传输模型和固液界面处的热量传输模型)、热对流模型(晶体表面与氩气之间的对流传热模型和熔体内的对流传热模型)热辐射模型等方面进行了阐述,并针对高品质区熔硅单晶生长提出了相应的研究思路和方法.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	云娜	中国电子科技集团公司第四十六研究所	4	5	1.0	2.0
2	庞炳远	中国电子科技集团公司第四十六研究所	13	17	3.0	3.0