HVPE GaN生长中TiN网栅的制备和作用

• 作者: 孙科伟 张嵩 王再恩 齐成军
• 来源期刊: 微纳电子技术
• 学科: 工学
• 关键词: MOCVD-GaN TiN网栅 多孔GaN 退火 氢化物气相外延(HVPE) 热应力
• 年，卷（期）: 2018,（10）
• 所属期刊栏目: 加工、测量与设备
• 页码范围: 768-774
• 页数: 7页
• 分类号: TN304.054|TN304.23
• 语种: 中文
• DOI: 10.13250/j.cnki.wndz.2018.10.012

摘要

利用退火工艺在MOCVD-GaN基片表面制作TiN网栅,同时基片可形成疏松的多孔GaN结构.退火过程中温度越高、氢气分压越大,所形成的孔隙越大越深.高温下GaN分解的Ga因与H结合成为气相而使多孔结构沟槽内无残余Ga滴,可作为之后GaN外延的成核位置,未被刻蚀部分表面被TiN薄膜覆盖.采用HVPE方法在具有多孔结构的GaN基片上进行30 min生长后,原有孔洞会被部分长合,而由于上层GaN的N面高温热解,形成新孔洞层,从而在降温过程起到释放热应力的作用,改善了GaN的结晶质量,位错密度可以降低至5×106 cm-2以下.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	孙科伟	中国电子科技集团公司第四十六研究所	7	2	1.0	1.0
2	张嵩	中国电子科技集团公司第四十六研究所	7	5	1.0	1.0
3	齐成军	中国电子科技集团公司第四十六研究所	2	0	0.0	0.0
4	王再恩	中国电子科技集团公司第四十六研究所	3	0	0.0	0.0