区熔硅单晶中的漩涡缺陷及其影响因素

• 作者: 刘玉岭 李万策 邢友翠 闫萍
• 来源期刊: 电子工业专用设备
• 学科: 工学
• 关键词: 区熔工艺 硅单晶 漩涡缺陷
• 年，卷（期）: 2018,（5）
• 页码范围: 50-54
• 页数: 5页
• 分类号: TN304.05
• 字数: 2673字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1004-4507.2018.05.012

摘要

因生长时工艺条件的不同,区熔硅单晶中的微缺陷类型及分布会呈现出不同的变化.对单晶生长工艺中影响缺陷形成的相关因素进行了分析, 并给出了不同工艺条件下单晶中漩涡缺陷的宏观分布状态以及所对应缺陷的微观形貌.单晶生长实验结果表明,除生长速率与晶体中的微缺陷变化具有明显的对应关系外,晶体生长界面附近的温度梯度、晶体直径以及晶体生长的气氛环境等因素也与晶体中的微缺陷直接相关.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘玉岭	中国电子科技集团公司第四十六研究所	9	51	3.0	7.0
2	闫萍	中国电子科技集团公司第四十六研究所	16	35	4.0	5.0
3	邢友翠	中国电子科技集团公司第四十六研究所	4	2	1.0	1.0
4	李万策	中国电子科技集团公司第四十六研究所	2	0	0.0	0.0