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摘要:
采用雾化施液化学机械抛光(CMP)的方法,以材料去除速率和表面粗糙度为评价指标,选取最适合硒化锌抛光的磨料,通过单因素实验对比CeO2、SiO2和Al2O3三种磨料的抛光效果.结果显示:采用Al2O3抛光液可以获得最高的材料去除率,为615.19 nm/min,而CeO2和SiO2磨料的材料去除率分别只有184.92和78.56 nm/min.进一步分析磨料粒径对实验结果的影响规律,表明100 nm Al2O3抛光后的表面质量最佳,粗糙度Ra仅为2.51 nm,300 nm Al2O3的去除速率最大,达到1 256.5 nm/min,但表面存在严重缺陷,出现明显划痕和蚀坑.在相同工况条件下,与传统化学机械抛光相比,精细雾化抛光的去除速率和表面粗糙度与传统抛光相近,但所用抛光液量约为传统抛光的1/8,大大提高了抛光液的利用率.
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文献信息
篇名 磨料对硒化锌雾化施液化学机械抛光的影响
来源期刊 半导体光电 学科 工学
关键词 硒化锌 雾化施液 化学机械抛光 磨料 去除速率 表面粗糙度
年,卷(期) 2018,(6) 所属期刊栏目 材料、结构及工艺
研究方向 页码范围 815-818
页数 4页 分类号 TN305.2
字数 语种 中文
DOI 10.16818/j.issn1001-5868.2018.06.012
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 李庆忠 江南大学机械工程学院 47 113 5.0 6.0
2 夏明光 江南大学机械工程学院 4 2 1.0 1.0
3 施卫彬 江南大学机械工程学院 4 2 1.0 1.0
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节点文献
硒化锌
雾化施液
化学机械抛光
磨料
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表面粗糙度
研究起点
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期刊影响力
半导体光电
双月刊
1001-5868
50-1092/TN
大16开
重庆市南坪花园路14号44所内
1976
chi
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22
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22967
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