改进窗函数下的忆阻器特性分析和研究

• 作者: 刘晓倩 孙岩洲 赵铁英
• 来源期刊: 电子元件与材料
• 学科: 工学
• 关键词: 忆阻器 伏安特性 窗函数 可调性 边界锁死 滞回曲线
• 年，卷（期）: 2018,（11）
• 所属期刊栏目: 研究与试制
• 页码范围: 78-84
• 页数: 7页
• 分类号: TN60
• 字数: 4605字
• 语种: 中文
• DOI: 10.14106/j.cnki.1001-2028.2018.11.014

摘要

基于杂质漂移机理,分析了忆阻器的导电过程,为了更加准确地模拟忆阻器内部离子的实际迁移情况,提出了一种改进的窗函数模型.基于MATLAB软件工具研究了忆阻器的伏安特性,进而分别研究了传统窗函数和改进窗函数模型下的滞回特性,通过仿真对比分析结果表明:改进的忆阻器模型不仅具有可调性和高灵活性,还解决了"边界锁死"问题;忆阻器的滞回曲线呈现出明显的优越性;在频率允许范围内,忆阻器的伏安特性会随着频率的增大而缩减,当频率趋于无穷大时,呈现出一条直线,则表现出普通电阻元件特性.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	孙岩洲	河南理工大学电气工程与自动化学院	52	306	9.0	16.0
2	赵铁英	河南理工大学电气工程与自动化学院	10	10	2.0	2.0
3	刘晓倩	河南理工大学电气工程与自动化学院	1	1	1.0	1.0