N型高压DDDMOS热载流子损伤研究

• 作者: 苏庆 苗彬彬
• 来源期刊: 集成电路应用
• 学科: 工学
• 关键词: 高压双扩散漏MOS晶体管 HVDDDMOS 热载流子注入 器件可靠性
• 年，卷（期）: 2018,（8）
• 所属期刊栏目: 工艺与制造
• 页码范围: 45-47
• 页数: 3页
• 分类号: TN405|TN43
• 字数: 1494字
• 语种: 中文
• DOI: 10.19339/j.issn.1674-2583.2018.08.012

摘要

高压场效应管是BCD工艺中的核心器件,常用有LDMOS(Lateral-Double-Diffused MOS,横向双扩散场效应晶体管)和DDDMOS(Double-Diffuse-Drain MOS,双扩散漏场效应晶体管)两种.由于DDDMOS实现结构简单且工艺流程与传统CMOS工艺兼容,被大量应用于LCD驱动电路,电源芯片管理电路等对耐压要求不高的高压电路.随着DDDMOS器件尺寸的不断缩小和集成度的不断提高,其热载流子注入(HCI)损伤却变得越来越严重.分析N型高压双扩散漏MOSFET的热载流子注入效应,有针对性地对轻掺杂区的工艺条件进行优化,并分析其对N型DDDMOS HCI可靠性的影响,重点研究了在保持晶体管性能不变且不增加工艺成本的条件下如何改善N型HV DDDMOS的HCI,延长器件的HCI寿命使之达到业界的实用标准,为高压DDDMOS器件可靠性优化提供重要参考.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	苗彬彬		2	0	0.0	0.0
2	苏庆		2	0	0.0	0.0