120nm SiGe BiCMOS90～100GHz低噪声放大器

• 作者: 庞东伟 施雨 曹锐 桑磊 陈涛 陶小辉
• 来源期刊: 微电子学
• 学科: 工学
• 关键词: SiGe 最小噪声系数 最大可用增益 共源共栅
• 年，卷（期）: 2018,（2）
• 所属期刊栏目: 电路与系统设计
• 页码范围: 173-177,188
• 页数: 6页
• 分类号: TN433|TN722.3
• 语种: 中文
• DOI: 10.13911/j.cnki.1004-3365.170307

摘要

基于IBM8HP 120 nm SiGe BiCMOS工艺,分析了晶体管的最小噪声系数和最大可用增益特性.采用两级Cascode放大器级联结构,研制出一种频带为90～100 GHz的低噪声放大器(LNA).详细分析了Cascode放大器潜在的自激可能性,采用串联小电阻的方式消除不稳定性.与电磁仿真软件Sonnet联合仿真,结果表明,在频带内,放大器的输入反射系数S11＜-18 dB,输出反射系数S22＜-12 dB;在94 GHz处,噪声系数为8 dB,增益为14.75 dB,输出1 dB压缩点功率为-7.9 dBm;在1.8V供电电压下,整个电路的功耗为14.42 mW.该放大器具有低噪声、低功耗的特点.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	曹锐	中国电子科技集团公司第三十八研究所	17	51	3.0	6.0
2	陶小辉	中国电子科技集团公司第三十八研究所	8	17	3.0	3.0
3	桑磊	合肥工业大学光电技术研究院	10	16	2.0	3.0
4	陈涛	合肥工业大学光电技术研究院	24	191	6.0	13.0
5	施雨	合肥工业大学光电技术研究院	3	5	1.0	2.0
6	庞东伟	合肥工业大学光电技术研究院	3	2	1.0	1.0