衬底温度和N2流量比对SI基GaN薄膜的影响

• 作者: 刘斌 张富春 张水利 张雄 王箫扬
• 来源期刊: 当代化工
• 学科: 物理学
• 关键词: 磁控溅射 GaN薄膜 衬底温度 N2流量 表征
• 年，卷（期）: 2018,（9）
• 所属期刊栏目: 科研与开发
• 页码范围: 1867-1870
• 页数: 4页
• 分类号: O484
• 字数: 2962字
• 语种: 中文

摘要

为了获得高质量的GaN薄膜,首先用射频磁控溅射的方法在Si基片合成Ga2O3薄膜,再通过高温氨化法与NH3自组装形成GaN薄膜.然后分别用扫描电子显微镜和X-射线衍射仪对薄膜的形貌和结构进行了表征.结果发现GaN薄膜是纤锌矿结构并沿着晶面(002)方向择优生长.GaN薄膜的生长速率随着衬底温度的升高逐渐下降,结晶质量随着衬底温度的升高逐渐变差.同时晶粒表面较为平整;随着N2流量比的适量增加,薄膜的结晶质量提高,晶体颗粒较为均匀,通过分析薄膜的生长机理,给出了GaN薄膜的最佳工艺条件.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张富春	延安大学物理与电子信息学院	94	391	10.0	17.0
2	张水利	延安大学物理与电子信息学院	31	136	7.0	11.0
3	刘斌	延安大学物理与电子信息学院	53	205	8.0	12.0
4	张雄	延安大学物理与电子信息学院	36	37	4.0	4.0
5	王箫扬	延安大学物理与电子信息学院	13	8	2.0	2.0