基于双-双指数电流源法的CMOS电路单粒子效应电路级仿真

• 作者: 丁李利 潘霄宇 王坦 罗尹虹 赵雯 郭红霞
• 来源期刊: 现代应用物理
• 学科: 工学
• 关键词: 单粒子效应 双指数电流源 单粒子瞬态脉冲 电路级仿真 软错误
• 年，卷（期）: 2019,（4）
• 所属期刊栏目: 辐射效应及加固技术
• 页码范围: 65-70
• 页数: 6页
• 分类号: TN406
• 字数: 2824字
• 语种: 中文
• DOI: 10.12061/j.issn.2095-6223.2019.040601

摘要

基于瞬时电流模型,采用双-双指数电流源法,在 65 nm工艺节点集成电路基本单元中开展了单粒子效应的电路级仿真.采用器件/电路混合仿真的方式,提取瞬时电流特征参数,在目标电路敏感节点插入内建电流源表征单粒子效应对电路的影响;对组合逻辑电路中产生的单粒子瞬态脉冲及存储单元的单粒子翻转效应进行了电路级仿真计算,并将计算结果与用TCAD模型计算的结果进行了对比检验.结果表明:双-双指数电流源法可对不同驱动能力和不同负载条件下的基本单元电路进行仿真,且易于向大规模电路进行推广,在空间单粒子软错误评估中具有应用价值.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	罗尹虹		54	199	8.0	10.0
2	郭红霞		81	385	10.0	13.0
3	丁李利		12	26	3.0	4.0
4	赵雯		10	25	3.0	4.0
5	王坦		1	0	0.0	0.0
6	潘霄宇		2	3	1.0	1.0