富铟磷化铟晶体中铟夹杂物基体特征分析

• 作者: 刘惠生 孙聂枫 杨瑞霞 王书杰 王昊宇 田树盛. 陈春梅
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: InP 晶体生长 化合物半导体 非配比熔体 铟夹杂物
• 年，卷（期）: 2019,（5）
• 所属期刊栏目: 半导体材料
• 页码范围: 386-389
• 页数: 4页
• 分类号: TN304.23
• 语种: 中文
• DOI: 10.13290/j.cnki.bdtjs.2019.05.011

摘要

对富铟磷化铟 (InP) 晶体中铟夹杂物的基体特征进行了分析和表征.在富铟熔体中制备了InP单晶, 利用金相显微镜及红外透射显微镜研究InP晶体中的铟夹杂物形态及其基体周围的影响区的形成.研究发现在铟夹杂物周围的InP基体上存在一些轮廓线.基于铟夹杂物的形成过程和其对周围InP基体的影响, 分析了铟夹杂物及其周围轮廓线的形成机理.通过位错腐蚀发现, 铟夹杂物周围的InP基体上存在高的位错区, 沿着晶体生长方向的位错密度偏高.通过力学分析发现, 这种位错分布不均匀主要是由于富铟熔体结晶过程中沿着温度梯度方向的体积膨胀较大所致.