三层热壁金属有机化学气相外延流场计算机模拟

• 作者: 李成明 李琳 杨功寿 杨少延 胡西多 苏宁
• 来源期刊: 真空
• 学科: 物理学
• 关键词: 金属有机化学气相沉积 反应腔体 热壁 喷管 数值模拟
• 年，卷（期）: 2019,（1）
• 页码范围: 34-38
• 页数: 5页
• 分类号: O484.1
• 语种: 中文
• DOI: 10.13385/j.cnki.vacuum.2019.01.07

摘要

本文对三层热壁水平流金属有机化学气相沉积(MOCVD)真空反应腔的设计以及最终流场分布都进行了理论模拟.在选择优化喷管排布基础上,在衬底托盘、衬底四周底壁,以及衬底所在区域上壁临近区域范围加热,形成局部热壁外延真空反应腔体.此外,对于真空腔体设计,顶层与底层流动速度,都进行细致研究,确保在材料生长区域的壁面,反应前驱物源气体保持在稳定且无漩涡流动状态,并使反应物主要分布在衬底位置处,有效提高反应物利用率,并避免在腔壁等处发生反应,最后进行热壁MOCVD材料生长,得到厚度分布比较均匀,x射线双晶衍射的半峰全宽(FWHM)为149.8弧度秒,表明生长出质量良好的氮化镓(GaN)薄膜单晶材料.