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摘要:
研制了一套用于片上皮法级电容测试系统的电容标准件,量值低至1 pF,频率达到1 MHz.该电容标准件采用GaAs衬底,金属-绝缘层-金属(MIM)结构的电容器阵列实现,其标称值分别为1,10和100 pF.为了消除由探针系统和外界环境引入的分布电容的影响,在芯片同一单元内设计了在片开路器,电容测量准确度达到±1%.建立了在片皮法级电容测量模型,利用组建的可溯源在片定标装置对电容样片定标后,进行重复性和稳定性考核,最终研制出年稳定性小于0.4%的电容标准件一套.测量结果及标准件应用表明,研制的标准件可为片上皮法级电容测试系统进行现场整体校准.
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文献信息
篇名 片上皮法级电容测试系统专用标准件的研制
来源期刊 半导体技术 学科 工学
关键词 片上皮法级电容测试系统 在片开路器 MIM电容 测量模型 在片电容标准件
年,卷(期) 2019,(3) 所属期刊栏目 半导体检测与设备
研究方向 页码范围 232-238
页数 7页 分类号 TN304.23|TB971
字数 语种 中文
DOI 10.13290/j.cnki.bdtjs.2019.03.012
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 乔玉娥 中国电子科技集团公司第十三研究所 23 27 3.0 4.0
2 梁法国 中国电子科技集团公司第十三研究所 54 104 5.0 7.0
3 郑世棋 中国电子科技集团公司第十三研究所 26 25 3.0 3.0
4 翟玉卫 中国电子科技集团公司第十三研究所 32 64 4.0 6.0
5 刘岩 中国电子科技集团公司第十三研究所 28 43 4.0 4.0
6 丁晨 中国电子科技集团公司第十三研究所 8 15 2.0 3.0
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研究主题发展历程
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片上皮法级电容测试系统
在片开路器
MIM电容
测量模型
在片电容标准件
研究起点
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研究分支
研究去脉
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半导体技术
月刊
1003-353X
13-1109/TN
大16开
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18-65
1976
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